Схема:

Таблица данных:

Материал VT1

Тип VT1

Eпит,

Rк,

Схема включения

Iк/Iкз

Rэ/Rк

R1/R2

Rн/Rк

Si

p-n-p

20

10

ОЭ

0.2

0.7

3

2

Cкб, pF

C1,

C2,

C3,

Cн,

,

Iк0,

Rг,

60

5

1

10

20

500

3

0.1

100







Материал VT1

Тип VT1

Eпит,

Rк,

Схема включения

Iк/Iкз

Rэ/Rк

R1/R2

Rн/Rк

Ge

n-p-n

5

3

ОК

0.75

0.3

1

5

Cкб, pF

C1,

C2,

C3,

Cн,

,

Iк0,

Rг,

20

5

5

20

100

100

3

1

100





















  1. Обеспечить рабочую точку () и вычислить потенциалы , , .



Ток короткого замыкания (транзистор «замкнут»):

Рабочая точка:

Потенциал эмиттера:

Потенциал базы:

Потенциал коллектора:

Ток базы:

Пусть через резистор течёт ток равный , тогда:

Сопротивление резистора :

Сопротивление резистора :



  1. Оценить температурную нестабильность каскада (), если .



Сопротивление в цепи базы:





  1. Осуществить схемы включения ОЭ, ОБ, ОК, используя конденсаторы C1-C3. Для одной из схем (указано) дать малосигнальную схему замещения и вычислить параметры Ku, Ki, rвх, rвых.



Схема включения ОЭ:

Схема включения ОБ:





Схема включения ОК:

Малосигнальная схема замещения для схемы включения ОЭ:

Сопротивление базы:

Дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода:

Входное сопротивление транзистора:

Входное сопротивление каскада:

Выходное сопротивление каскада:

Входное напряжение относительно :



Коэффициент усиления напряжения:

Коэффициент усиления тока:

  1. Для этой же схемы включения вычислить амплитуду сигнала, при которой наступают амплитудные ограничения. Указать полярность ограничения, привести осциллограммы eг и uвых.



Статическая нагрузка:

Максимальная неискажённая амплитуда выходного сигнала:

Оптимальный ток коллектора:

ограничения наступают в результате попадания транзистора в отсечку.

Амплитуда сигнала, при которой наступают амплитудные ограничения:

Ограничивается отрицательная полуволна сигнала.



  1. Вычислить граничные частоты fн, fв для этой схемы. Оценить искажения, возникающие при усилении идеального прямоугольного импульса малой амплитуды (tф, δ) и максимально допустимую длительность импульса (Tи при спаде вершины δ < 20%), привести осциллограммы Eг и Uвых.



Эквивалентная малосигнальная схема замещения каскада для низких частот:

Постоянная времени для конденсатора :

Постоянная времени для конденсатора :

Постоянная времени для конденсатора :

Нижняя граничная частота каскада:



Эквивалентная малосигнальная схема замещения каскада для высоких частот:

Ёмкость коллекторного перехода:

Постоянная времени для конденсатора :

Постоянная времени, обусловленная собственной инерционностью транзистора:

Верхняя граничная частота каскада:



Время нарастания фронта импульса:

Максимальная допустимая длительность импульса:


Случайные файлы

Файл
28184.rtf
24050.rtf
finance.doc
12935.rtf
46289.rtf




Чтобы не видеть здесь видео-рекламу достаточно стать зарегистрированным пользователем.
Чтобы не видеть никакую рекламу на сайте, нужно стать VIP-пользователем.
Это можно сделать совершенно бесплатно. Читайте подробности тут.