Каретников И. А.






СБОРНИК ЗАДАЧ



ПО ИМПУЛЬСНОЙ ТЕХНИКЕ


















1. Ключи, логические элементы


Задача № 1.1


Дано: VT1-Si, N=50, I=2, mт=30мВ IЭ=I10(eU бэ/(m т)-1), , IК=I20(eU кб/(m т)-1), I10=210-10А, I20=310-10А, rБ=200 Ом, rКS=50 Ом., RК=1к, RБ= 5к.

Опр: UВЫХ= f(EГ),

UКЭН= при S=IБ/ IБН =2.



Задача № 1.2


Дано: VT1-Si, =50, Iк0=0,1мкА, IЭ=I10(eU бэ/(m т)-1), mт=30мВ,

I10=110-13А, I20=310-13А, rБ=200 Ом, rКS=100 Ом

RК=5к, RБ= 5к, СКБ= 5Ф, СЭБ=10Ф

=10-7с.


Опр: UВЫХ, IК = f(t), если ЕГ = 3В= =идеальный прямоугольный импульс (Ти =1мС).


Задача № 1.3


Дано: VT1-Si, =50, Iк0=0,1мкА, RК=1к, RБ= 5к, СКБСЭБ0, СН=1000Ф, =10-10с.


Опр: UВЫХ, IК = f(t), если ЕГ =5В = идеальный прямоугольный импульс.




Задача № 1.4


Дано: VT1-Si, =50, Iк0=0,1мкА, RЭ=1к, RБ= 5к, СКБСЭБ0, CН=0,01мкФ,

=10-10с.


Опр: UВЫХ, = f(t), если ЕГ =5В = идеальный прямоугольный импульс.



Задача № 1.5


Дано: VT1, VT2=Si, =50, Iк0=0,1мкА, RН=1к, RБ= 5к, СКБСЭБ0, CН=0,01мкФ,

=10-10с.


Опр: UВЫХ, = f(t), если ЕГ =10В = идеальный прямоугольный импульс.



Задача № 1.6


Дано: VT1=Si, =50, Iк0=0,1мкА, VD =Si, RН=0.2к, L=20мГн, RБ= 5к, СКБ10Ф, СЭБ20Ф, =10-10с.


Опр: UВЫХ, IK, IL = f(t), если ЕГ =10В = идеальный прямоугольный импульс.








Задача № 1.7

Дано: VT1,VT2=Si, b1=5мА/В2, b2=5мА/В2

U01=2В, U02=3В.


Опр: UВЫХ, IПИТ = fГ),
Выполняемая логическая функция..



Задача № 1.7,а

Дано: VT1,VT2=Si, b1=5мА/В2, b2=5мА/В2

U01=2В, U02=3В.


Опр IВЫХ/=fГ/)
при Е
Г1=0, и при ЕГ2=10В, Выполняемая логическая функция..



Задача № 1.8


Дано: VT1,VT2=Si, b1=5мА/В2, b2=5мА/В2

U01=2В, U02=3В.

СН=200Ф.


Опр: UВЫХ, IVT1 ,IVT2 = f(t)
при Е
Г=10В - идеальном прямоугольном импульсе.








Задача 1.9


Дано: EПИТ =+9 В, UО1 = UО2 = 3В,

UО3 = UО4 = 4В,

bn = 0,1 мА/B, bp = 0,2 мА/B.



Опр: U1, U0 , вывести логическую функцию, выполняемую схемой.



Задача 1.10


Дано: EПИТ =+9 В, UО1 = UО2 = 3В,

UО3 = UО4 = 4В,

bn = 0,1 мА/B, bp = 0,2 мА/B.


Опр: U1, U0 , вывести логическую функцию, выполняемую схемой.






Задача 1.11



Дано: EПИТ = +5 В, VМЭТ, VT1 = Si , N=50,
I = 4, RК = 1 к, Rб = 3 к.

Опр: 1) выполняемую логическую функцию,

2) Iвх = f (Uвх),

3) Uвых = f (Uвх),

4) Iвых = f (Eг),

5) Форму импульса Uвых(t) при управлении ЛЭ идеальным импульсным сигналом.




Задача 1.12


Дано: EПИТ = +5 В, VМЭТ, VT1, VT2, VT3, VD = Si, N=50, I = 4, Rб = 4,3 к, R1 = 3,3к, R2 = 1,5к,
R3 = 0,18к.


Опр: 1) выполняемую логическую функцию,

2) Iвх = f (Uвх),

3) Uвых = f (Uвх),

4) Iвых = f (Eг),




2. Статические триггеры


Задача № 2.1


Дано: VT1, VT2 =Si, =50, IК0=0,1мкА.

Принять: UБЭ, =0,7В, UКЭН = 0,1В. Опр: К1, К2, Б1, Б2.



Задача2.2


Дано: VT1, VT2 =Si, =50, IК0=0,1мкА.

Дать схемы замещения транзистора: 1) в насыщенном состоянии, 2)в отсечке

Опр: К1, К2, Б1, Б2.


Задача2.3


Дано: VT1=VT2=VT3=VT4=Si, =50, IК0=0,1мкА.

RК1= RК2=5к, RБ1=RБ2=RБ3=RБ4=15к.

Дать схемы замещения транзистора: 1) в насыщен-ном состоянии, 2)в отсечке

Опр: К1, К2, Б1, Б2.

Опр: ВЫХ1, ВЫХ2=f(ВХ1, ВХ2).,

Составить словарь переходов.


Задача 2.4


Дано: D1, D2 =К561ЛЕ5.


Определить выходы Q и Q-,

Составить таблицу состояний.



Задача2.5



Дано: D1, D2 =К561ЛА7.


Определить выходы Q и Q-,

Составить таблицу состояний.

Задача2.6


Дано: D1, D2, D3, D4 =К155ЛА3.



Составить таблицу состояний схемы.



Задача2.7


Дано: D1, D2, D3, D4 =К155ЛА3.



Составить таблицу состояний схемы.


Задача2.8



Обьяснить работу триггера.



3. Триггеры Шмидта


Задача3.1


Дано: VT1, VT2 -Si, =50, IК0= 0,1мкА


Рассчитать: пороги срабатывания, потенциалы К1, К2. Привести осциллограмму Uвых в случае, если
EГ = А Sin t.



Задача3.2


Дано: A1 KUД=103, rВХД= 105 Ом,

rВЫХ= 50 Ом. EПИТ1=+10В, EПИТ2=-10В. R1= 10к, R2= 5к.


Рассчитать: пороги срабатывания, потенциалы Uвых. Привести осциллограмму Uвых в случае, если
EГ = А Sin t.



Задача3.3


Дано: A1 KUД=103, rВХД= 105 Ом,

rВЫХ= 50 Ом. EПИТ1=+10В, EПИТ2=-10В. R1=5к, R2=10к.


Рассчитать: пороги срабатывания, потенциалы Uвых. Привести осциллограмму Uвых в случае, если
EГ = А Sin t.






Задача3.4


Дано: D1, D2 - ЛЭ КМОП K561ЛА7. EПИТ1=+10В.


Рассчитать: пороги срабатывания, потенциалы Uвых. Привести осциллограмму Uвых в случае, если
EГ = А Sin t.



Задача3.5



Дано: D1, D2 - ЛЭ ТТЛ K155ЛА3. EПИТ1=+5В.


Рассчитать: пороги срабатывания, потенциалы Uвых. Привести осциллограмму Uвых в случае, если
EГ = А Sin t.





4. Мультивибраторы


Задача4.1





Дано: VT1, VT2 -Si, =50,
I
К0= 0,1мкА


Рассчитать и привести осцилло-граммы К1, К2, Б1, Б2 (t). Вычислить полупериоды колебаний.






Чтобы не видеть здесь видео-рекламу достаточно стать зарегистрированным пользователем.
Чтобы не видеть никакую рекламу на сайте, нужно стать VIP-пользователем.
Это можно сделать совершенно бесплатно. Читайте подробности тут.