Вопросы к защите лабораторных (Вопр к лаб. МВТУ Ф-7)

Посмотреть архив целиком

Контрольные вопросы к защите лабораторной работы Ф-7

Изучение электрических свойств полупроводниковых р-n переходов

(МВТУ- 2012/2013 уч. г.)


  1. Полупроводники и их типы. Вырожденные полупроводники.

  2. Температурная зависимость сопротивления полупроводников. Удельные сопротивление и проводимость.

  3. Электронно-дырочная теория. Подвижность носителей тока. Эффективная масса носителей заряда.

  4. Волновые свойства электрона. Плотности распределения электронов проводимости по энергии и другим параметрам.

  5. Зонная теория проводимости. Энергетический уровень Ферми. Поверхность Ферми. Инверсная заселенность энергетических уровней.

  6. Влияние примесных включений на распределение энергетических зон в полупроводниках.

  7. Энергетические зонные соотношения в полупроводниковом р-n переходе.

  8. Вольт-амперная характеристика (ВАХ) полупроводниковых диодов. Различия характеристик кремниевых и германиевых диодов. Туннельный эффект, туннельные диоды.

  9. Полупроводниковые фотодиоды, светодиоды и лазеры. Принцип их работы.

  10. Преимущества мостовых измерительных схем.


Составил А.С. Чуев




Случайные файлы

Файл
56678.rtf
28086.rtf
129679.rtf
12803.rtf
99896.rtf




Чтобы не видеть здесь видео-рекламу достаточно стать зарегистрированным пользователем.
Чтобы не видеть никакую рекламу на сайте, нужно стать VIP-пользователем.
Это можно сделать совершенно бесплатно. Читайте подробности тут.