Параметры транзисторов (62668)

Посмотреть архив целиком

Задание 1


Рассчитать параметры элементов усилителя на биполярном транзисторе (БТ). Схема усилителя приведена на рис.1.

Построить графики:

  • напряжения на выходе ненагруженного источника сигнала;

  • напряжений в точках 1, 2, 3, 4, 5 при подаче на вход усилителя напряжения источника сигнала и наличии напряжения питания;

  • напряжения UКЭ.

Привести основные параметры применяемого БТ.

Исходные данные для расчета приведены в табл. 1.

Тип транзистора определяется по первой букве фамилии студента (табл. 2).


Рис.1 – Принципиальная схема усилительного каскада


Исходные данные для расчета

Наименование параметра

Единица измерения

Формула для расчета параметра

Напряжение источника сигнала

мВ

Еи=(mn+40)/20

Внутреннее сопротивление источника сигнала

Ом

Rн=(120-mn)·5

Нижняя граничная частота усиливаемых сигналов

Гц

fН=(mn+100)·2

Верхняя граничная частота усиливаемых сигналов

Гц

fВ=(mn+100)·50

Величина нагрузки

кОм

Rн=m+10

Емкость монтажа

пФ

См=(150-mn)/20


Приложение 1. Параметры транзисторов

Параметр

Единица измере-ния

Тип транзистора

КТ355А

КТ343A

КТ347А

КТ201А

КТ312В

КТ361Б

Iкб0

мкА

0.5

1

1

1

10

1

h21e

-

80…300

>30

30…400

20…60

10…100

50…300

fгр

МГц

1500

300

500

10

80

250

Ске

пФ

2

6

6

20

5

9

Uкб max

В

15

17

15

20

15

25

Uке max

В

15

17

15

20

15

25

Iк max

мА

60

50

50

20

30

50

Pmax

мВт

225

150

150

150

225

150

Tmax

оС

-55

-10

-40

-60

-40

-60

Tmin

оС

+125

+150

+85

+125

+85

+100

Тип перехода

-

n-p-n

p-n-p

p-n-p

n-p-n

n-p-n

p-n-p


В


Ом


Гц


Гц


Ом


Ф



1.Определяем напряжение питания усилителя.

Для заданного типа транзистора должно выполняться условие:


UКE max > E.

UКE max=15 В


В





2.На входной характеристике транзистора (при UKE0) определяем параметры рабочей точки IБО, UБЕ0 (режим покоя).






В





3.Определяем величину UКЕ0:


UКЕ0 = (0.4 … 0.5)Е.






4.На выходных характеристиках транзистора определяем параметр рабочей точки IK0.







5.По полученным значениям Е, IK0, UКЕ0 строим динамическую характеристику транзистора.

6.Находим величину сопротивления RК:


RК=0.4Е/ IK0.






Мощность, рассеиваемая на резисторе RK, равна


.





7.Определяем величину сопротивления RЕ в цепи термостабилизации.

Находим падение напряжения на резисторе RЕ:


URe=E-UKE0-0.4E.





Далее определяем величину резистора RЕ


RЕ= URe / IK0.




Мощность, рассеиваемая на резисторе RЕ, равна


.


Мощность, рассеиваемая на резисторе RЕ, равна


.




По результатам расчетов выбираем стандартные значения и тип резисторов RK и RE.

8.Находим емкость конденсатора СЕ:


(мкФ).







9.Находим входное сопротивление переменному току транзистора (в точке покоя по входной характеристике).

.









10.Определяем элементы делителя напряжения в цепи базы R1 и R2.

Выбираем ток в цепи делителя из условия




IД=(4…5)IБ0.





Определяем величины R1 и R2 по формулам:























Условие R2=(5…10)RBX выполняется










11.Находим величину напряжения на входе усилителя:







12.Определяем коэффициент усиления каскада по напряжению на средних частотах:

Эквивалентное выходное сопротивление каскада
















и в децибелах








13.Находим величину напряжения выходного сигнала на средних частотах