Материалы по ОКТРЭС, преподаватель - Чайка (Пункт 03.1)

Посмотреть архив целиком

3.1 Рассеиваемая мощность на резисторах.


Для нахождения мощности на резисторах необходимо произвести расчет схемы по постоянному току. Для этого из схемы исключаем все конденсаторы (Рис.3).



Транзисторы работают только в режимах насыщения и отсечки. Максимальное напряжение на резисторах R1 и R4 равно разности напряжения питания и падения напряжения на коллекторном переходе транзисторов VT2 и VT3 в режиме насыщения. При этом транзисторы VT1 и VT4 работают в режиме отсечки.

UR1,R4=10 – 0.18=9.82


Напряжение на резисторе R3 равно разности напряжения питания и напряжения на переходе база-эмиттер транзистора VT2, работающего в режиме насыщения.

UR3=10 – 0.83=9.17


Напряжение на резисторе R2 равно разности напряжения питания и напряжения на переходе база-коллектор транзистора VT3, работающего в режиме насыщения.

UR2=10 – 0.65=9.35


Мощность на резисторах:

PR1=(UR1)2/R1=9.822/1000=0.096 Вт

PR2=(UR2)2/R2=9.352/51000=0.0017 Вт

PR3=(UR3)2/R3=9.172/51000=0.00164 Вт

PR4=(UR4)2/R4=9.822/1000=0.096 Вт



Таблица параметров тонкопленочных резисторов


Позиционное обозначение

Номинал, Ом

Напряжение, В

Мощность, мВт

R1

1000

9,82

96

R2

51000

9,35

1,7

R3

51000

9,17

1,64

R4

1000

9,82

96



Случайные файлы

Файл
9245-1.rtf
168457.rtf
109626.doc
proces.doc
13496-1.rtf




Чтобы не видеть здесь видео-рекламу достаточно стать зарегистрированным пользователем.
Чтобы не видеть никакую рекламу на сайте, нужно стать VIP-пользователем.
Это можно сделать совершенно бесплатно. Читайте подробности тут.