Курсовик - 16-канальный преобразователь амплитуды входного сигнала в ширину выходного импульса (расчёт_элементов)

Посмотреть архив целиком

Расчет тонкопленочных резисторов


R1 =



Определяют оптимальное значение величины сопротивления квадрата резистивной пленки


= 10000 Ом/кв



Резистивный

материал


ρкв опт,

Ом/кв


Р0,

Вт/см2


αR,

1/оС

ТУ

на резистивный

материал

Материал

контактных

площадок и

проводников

Кермет К50-С

10000

2 ... З

-5 ... +3

ЕТО.021.048.ТУ

Au, Al


k1 =






=

≤ 5% ≤ 3%

≤ 5% = 1…2%

Масочный метод изготовления обеспечивает предельные отклонения

резистора =10...15%, а фотолитографический метод -= 5...10%


Позиционное

обозначение


Номинал, допуск,

мощность


Материал

,

Ом/кв


k

%



%


b ,

мм


l ,

мм



n

R1

кОм + % - мВт

Кермет

10000







_

R2

кОм + % - мВт










R3

кОм + % - мВт










R4

кОм + % - мВт










R5

кОм + % - мВт










R6

кОм + % - мВт










R7

кОм + % - мВт










R8

кОм + % - мВт










R9

кОм + % - мВт










R10

кОм + % - мВт










R11

кОм + % - мВт


















Расчет тонкопленочных конденсаторов


С1 =



Если в схеме имеется несколько конденсаторов, то для изготовления их в едином технологическом цикле целесообразно выбирать для всех конденсаторов один и тот же диэлектрик с одинаковой толщиной, а следовательно, и с одинаковой удельной емкостью . Для нескольких конденсаторов на одной подложке расчет начинают с конденсатора, имеющего наименьший номинал емкости. Исходные данные: номинальная емкость конденсатора С; масочный метод изготовления обеспечивает предельные отклонения конденсатора = 15...20%; рабочее напряжение на конденсаторе , определяемое по результатам расчета схемы по постоянному току; время работы в ч.




1.Выбирается материал диэлектрика (табл.2.3.). Это позволяет установить удельную емкость , электрическую прочность Е, ориентируясь по значениям из табл.2.3, а также диэлектрическую проницаемость и температурный коэффициент емкости .


Наименование

материала

диэлектрика

пФ/см


, В

Е

В / cм


1 /С

ТУ на

материал

Моноокись

кремния

5

10

60

30

2...3

5...6

2

БКО.028.004 ТУ

Моноокись

германия

5

10

15

10

7

5


1.0


11...12


3


ЕТО.021.014 ТУ

Боро-силикатное

стекло

2.5

5

10

24

15

10


3...4


4


0.36


ЕТО.035.015 ТУ

Стекло

электро-

вакуумное

С41-1

15

20

30

40

12.6

10...12,6

6,3...10

6,3


3...4


5.2


1,5...1,8


НПО.027.600



Наилучшим материалом для обкладок конденсаторов является алюминий А99 (ГОСТ 11069-64) при толщине 0,5 мкм, имеющий плохую адгезию к подложке. для предотвращения отслаивания нижней обкладки вначале напыляют подслой титана или ванадия. Относительная погрешность обеспечения - =3...10%. Относительная погрешность емкости при старении =2...10% за 1000 ч работы. ТКЕ указан для температуры (+25 ...+125)С.

2.Рассчитывается толщина диэлектрического слоя, обеспечивающая электрическую прочность конденсатора, , и соответствующий уровень удельной емкости , где d выражается в см, - в пФ/см.

3.Определяются составляющие эксплуатационной погрешности емкости (аналогично п. 3 порядка расчета резисторов): температурная - =, учитывая перегрев внутри конструкции целесообразно рабочую температуру конденсатора t увеличить на 10...15C относительно плюсовой температуры по ТЗ; за счет старения ; погрешность активной площади конденсатора (площадь верхней обкладки) ---

4.Рассчитывается удельная емкость, обусловленная конечной точностью изготовления размеров верхней обкладки конденсатора =, где - коэффициент формы тонкопленочного конденсатора. Если нет особых требований к форме конденсатора, принимают ; - производственные погрешности изготовления длины и ширины конденсатора. При =1; =50...100 мкм и более, в зависимости от L (B).

5.Используемое в дальнейших оценках расчетное значение должно отвечать технически реализуемым уровням , которое выбирается из табл. 2.3.

6.Определяется фактическое значение толщины диэлектрического слоя, где d выражается в см, - в пФ/см, мкФ/см. Безотказность и долговечность тонкопленочных конденсаторов обеспечивается при .

7.Определяются геометрические размеры конденсаторов.

Площадь верхней обкладки, тогда

.

Размеры нижней обкладки:

=L+ ; =B+,

где h1~hb.(0,1...0,2) мм - припуски на совмещение слоев.

Размеры диэлектрического слоя:

=+ ; =+.

8.Находится фактическое значение погрешности площади верхней обкладки конденсатора =.Необходимо, чтобы s, где s из п. 3. Фактическая напряженность электрического поля в конденсаторе . Необходимо, чтобы из табл.2.3.




Случайные файлы

Файл
91567.rtf
176755.rtf
147339.rtf
65987.rtf
47017.rtf




Чтобы не видеть здесь видео-рекламу достаточно стать зарегистрированным пользователем.
Чтобы не видеть никакую рекламу на сайте, нужно стать VIP-пользователем.
Это можно сделать совершенно бесплатно. Читайте подробности тут.