Квантовые свойства макроскопических объектов (149559)

Посмотреть архив целиком

Квантовая электроника.

Квантовая электроника – область электроники, охватывающая изучение и разработку методов и средств усиления и генерации электромагнитных колебаний на основе эффекта вынужденного излучения атомов, молекул и твердых тел. Часто под термином «Квантовая электроника» понимают совокупность квантовых электронных приборов и устройств — молекулярных генераторов и квантовых усилителей, оптических квантовых генераторов (лазеров) и др., — в которых используется вынужденное излучение. К Квантовой электронике относят также вопросы нелинейного взаимодействия мощного лазерного излучения с веществом и применение такого взаимодействия в устройствах преобразования частоты лазерного излучения. Наиболее крупным прикладным разделом квантовой электроники является лазерная техника, связанная с созданием лазеров различных типов, исследованием свойств лазерного изучения и его использованием для решения различных практических задач.

Физические основы КЭ.

В отличие, например, от вакуумной электроники, использующей для преобразования электромагнитной энергии потоки свободных электронов, в КЭ имеют дело со связанными электронами, входящими в состав атомных систем: атомов, молекул, кристаллов. Согласно законам квантовой механики, электроны в атоме и, следовательно, атомная система в целом могут находиться только в определённых энергетических состояниях, характеризуемых дискретным рядом значений энергии 0, 1, 2, ... , называемых энергетическими уровнями. Изменение внутренней энергии атомной системы сопровождается квантовым переходом электрона с одного энергетического уровня на другой. При этом система излучает или поглощает порцию электромагнитной энергии — квант — с частотой mn и энергией hmn= m - n , где h – постоянная Планка, m и n - конечный и начальный энергетические уровни. Излучение квантов (соответствующее переходам электронов с верхних энергетических уровней на нижние) может происходить как самопроизвольно — в отсутствие внешнего поля (спонтанное излучение), так и вынужденно — в присутствии поля (вынужденное излучение), поглощение же квантов (соответствующие переходам с нижних уровней на верхние) всегда является процессом вынужденным. Существенно, что в результате вынужденных излучат. переходов первичная электромагнитная волна усиливается за счёт энергии кванта вынужденного излучения, тождественных этой первичной волен по частоте, фазе, направлению распространения и характеру поляризации. Именно эта особенность вынужденного излучения имеет основополагающее значение в КЭ, позволяя использовать такое излучение для усиления и генерации электромагнитных волн. Когерентное усиление электромагнитной волны возможно только в том случае, если число возбужденных электронов (населенность более высоких энергетических уровней) превышает число невозбужденных (населённость более низких уровней). В веществе, находящемся в состоянии термодинамического равновесие, это условие не выполняется: в соответствии с Больцмана распределением населенность верхних энергетических уровней всегда меньше чем нижних и, следовательно, поглощение преобладает над вынужденным излучением, в результате чего проходящая через вещество первичная волна ослабляется. Для того чтобы вещество усиливало распространяющуюся в нём электромагнитную волну, необходимо перевести его в возбужденное состояние, в котором хотя бы для двух уровней населенность верхнего оказалась выше , чем нижнего. Такое состояние называется состоянием с инверсией населённости в веществе и является предположенный современными учёными Н.Г. Басовым и А. М. Прохоровым в 1955 «Метод трёх уровней». Сущность этого метода состоит в том, что электроны в энергетическом спектре которых имеется 3 энергетических уровня 1, 2, 3, переводятся в возбужденное состояние под действием мощного вспомогательного излучения — накачки. При достаточной интенсивности накачки происходит переход электронов с уровня 1 на 3, до так называемого насыщения, когда населённость этих уровней становится одинаковой. При этом для одной пары уровней 1, 2 или 2, 3 будет иметь место инверсия населённостей. Существуют и другие методы создания инверсии населённости: сортировка молекул в молекулярных и атомных пучках в неоднородном электрическом или магнитном поле; инжекция неравновесных носителей заряда в электронно-дырочный переход; осуществление неупругих соударение атомов в смеси газов; химическое возбуждение и другие.

Генерация электромагнитных волн в приборах КЭ осуществляется с помощью активной среды, помещённой в резонатор, в частности для лазеров — оптических резонаторов, посредством которого реализуется необходимая для генерации положительная обратная связь. В активной среде неизбежно происходят спонтанные переходы электронов с верхних энергетических уровней на нижние, т.е. происходит излучение квантов. Если резонатор настроен на частоту этого излучения, то оно, многократно отражаясь от стенок резонатора, успевает вызвать индуцированное излучение ещё нескольких частиц, которые, в свою очередь, воздействуя на активную среду, вызывает новые акты индуцированного излучения. В результате собственное спонтанное излучение активной среды усиливается за счет вынужденных переходов. При этом, однако, энергия излучения в резонаторе не может нарастать беспредельно: каждый акт излучения сопровождается переходом частицы на более низкий энергетический уровень, что приводит к выравниванию населенностей и, следовательно, к равенству поглощения и вынужденного излучения (эффект насыщения).

Историческая справка.

КЭ сформировалась и развивалась как самостоятельная область науки и техники во вотрой половине ХХ века. История КЭ неразрывно связана с радиоспектроскопией, исследующей свойства вещества с помощью избирательного (резонансного) поглощения радиоволн СВЧ диапазона. Именно в радиоспектроскопии зародилась идея о том, что путём создания инверсии населённостей энергетических уровней в среде можно добиться усиления радиоволн. Если же какая-либо система усиливает радиоизлучение, то при соответствующей обратной связи она может и генерировать это излучение. Первый прибор КЭ — молекулярный генератор на аммиаке, созданный в 1955 одновременно в СССР (Басов и Прохоров) и США (Ч. Таунс и др.), по существу, является радиоспектроскопом, который, однако, устроен так, что молекулы аммиака не поглощают, а излучают радиоволны. В конце 50-х гг. В СССР и США малошумящие парамагнитные квантовые усилители, в которых активной средой служили парамагнитные кристаллы, находящиеся при температуре жидкого гелия (4,2 К) и возбуждаемые вспомогательным источником СВЧ излучения. В эти же годы широко исследовалась возможность создания приборов КЭ оптического диапазона длин волн. В 1960 первый такой прибор — рубиновый лазер — создан в США. Кристалл рубина возбуждается импульсной ксеноновой лампой. В последующие годы лазеры на диэлектрических кристаллах, возбуждаемые внешним источником оптической накачки, получили широкое распространение и составляют одну из важнейших разновидностей лазеров. Усиление в таких лазерах осуществляется за счет вынужденных переходах в электронных оболочках ионов-активаторов (хром в кристаллах рубина, неодим в стекле и алюминиевом гранате). В 1960 создан (США) первый газовый лазер на смеси атомов неона и гелия, возбуждаемых электрическим разрядом в газе низкого давления. Маломощные гелий-неоновые и мощные лазеры на CO2 стали наиболее распространёнными представителями семейства газовых лазеров, охватывающих широкий спектральный диапазон — от глубокого ультра-фиолетового (0,12 мкм) до инфракрасного, смыкающегося с субмиллиметровым (1 нм). В 1959 Басов с сотрудниками теоретически обосновали возможность создания полупроводникового лазера; первые такие лазеры созданы в 1962—63 (СССР и США).

Применение КЭ.

Приборы КЭ имеют ряд характерных особенностей, отличающих их от электронных приборов других типов. Так молекулярные генераторы СВЧ диапазона обладают исключительно высокой стабильностью частоты колебаний ~10-13 (например, часы на основе такого генератора «уйдут» на 3 секунды за 1 млн. Лет). Квантовые парамагнитные усилители СВЧ имеют рекордно низкий уровень собственных шумов (не св. 10 К) по сравнению с усилителями других типов и поэтому применяются в устройствах радиоастрономии, системах дальней космической связи. На основе лазеров возникли новые области науки и техники: нелинейная оптика, лазерная химия, лазерная технология, голография, лазерная медицина, лазерная интерферометрия и др. Мощный направленный лазерный пучок, сфокусированный на поверхности любого вещества, способен расплавить и испарить его. Это явление лежит в основе многих технологических применений лазеров. Лазерный луч служит незаменимым инструментом интерферометрических измерений с высокой точностью, примерно сравнимой с размерами атомов и молекул. Способность активной среды некоторых лазеров накапливать энергию возбуждения и затем излучать её в виде короткого (10-7—10-9) импульса с недостижимой прежде мощностью (109—1010Вт) легла в основу лазерной импульсной локации и дальнометрии. Чрезвычайно малая расходимость лазерного излучения (примерно на 4 порядка меньше, чем у СВЧ излучения при сравнимых диаметрах антенных систем) делает возможным его передачу на огромные расстояния, недостижимые для радиолокации. Инжекционные ПП лазеры, непосредственно преобразующие электрический ток в когерентное оптическое излучение, являются самыми миниатюрными приборами КЭ, на основе которых развиваются такие важные направления электроники, как оптоэлектроника, системы записи и считывания информации. Лазеры активно вторглись в технологию современной микроэлектроники (процессы подгонки резисторов, контроля микросхем, скрайбирования и отжига кремниевых пластин, фотолитографии и т. д.). Лазеры получили применение и в военном деле. Производство приборов КЭ в промышленно развитых странах сформировалось в крупную отрасль промышленности.

Электрическое строение молекул.


Случайные файлы

Файл
16144-1.rtf
96774.rtf
169839.rtf
121272.rtf
176367.rtf




Чтобы не видеть здесь видео-рекламу достаточно стать зарегистрированным пользователем.
Чтобы не видеть никакую рекламу на сайте, нужно стать VIP-пользователем.
Это можно сделать совершенно бесплатно. Читайте подробности тут.