Вопросы к контрольным (Вопросы к контрольным)

Посмотреть архив целиком

КОНТРОЛЬНАЯ РАБОТА №1

Вариант 1:

  • Принцип действия и технологические методы изготовления приборов I поколения.

  • Классификация полупроводниковых материалов по химическому составу и структуре.

  • Расшифруйте 40(5КДБ0,7)/(300КЭФ50).

  • Опишите метод диффузии примеси в потоке газа-носителя. Какие состояния используют в данном методе?


Вариант 2:

  • Принцип действия и технологические методы изготовления приборов II поколения.

  • Трансмутационное легирование кремния.

  • Достоинства точечного диода. (?)

  • Опишите вакансионный механизм.

  • Метод сплавления (?)

  • Какое влияние оказывает SiO2 на распределение примеси при диффузии.


Вариант ?:

  • Что вам известно о IV поколении эл. приборов

  • 1А1КЭФ 10/0.5

  • Почему при бескассетном методе сплавления процесс проводят в два этапа?

  • Начертить графики распределения примеси в кремнии при диффузии из ограниченного источника при разных значениях времени.

  • Опишите междоузельный механизм диффузии

  • Опишите метод лазерного легирования

  • Опишите метод диффузии в отпаянных ампулах. Недостатки метода и его модификации.


Вариант 5:

  • Что такое технологическая интеграция?

  • В чём состоят достоинства и недостатки трансмутационного легирования?

  • Что такое лазерное легирование и когда оно применяется?

  • Напишите граничные условия и зависимость N(x,t) диффузии из ограниченного источника.

  • Какие вы знаете механизмы диффузии? Сравните энергии активации разных механизмов.

  • Каким образом можно регулировать предельную частоту выпрямления точечного диода?

  • Какие возникают проблемы при легировании кремния алюминием?



КОНТРОЛЬНАЯ РАБОТА №2

Вариант 1:

  • Достоинства метода ионного легирования.

  • Как осуществляется сепарирование ионов?

  • Что такое длина пробега и проецированный пробег? Что определяет длину пробега?

  • Создание контактов к "мелким" pn-переходам.

  • Фотохимические процессы в позитивных фоторезистах.


Вариант 2:

  • Создание МДП-транзистора с самосовмещённым изолированным затвором.

  • Как сообщается ионам необходимая кинетическая энергия.

  • Распределение примеси в аморфной мишени. Какую мишень называют аморфной?

  • Этапы процесса прямой фотолитографии.

  • Недостаточное экспонирование


Вариант 3:

  • Получение заглубленных слоёв SiO2 методом ионного легирования.

  • Как определить дозу ионов?

  • Что такое каналирование. Распределение примеси при идеальном каналировании.

  • Обращенная фотолитография.

  • Обработка поверхности перед нанесением фоторезиста.


Вариант 4:

  • Фотохимические процессы в негативных фоторезисторах.

  • Совмещение и экспонирование в фотолитографии.

  • Ограничения метода ионного легирования.

  • Как получать ионы в установках ионного легирования.

  • Что такое критический угол каналирования? Распределение примеси при реальном каналировании.


Случайные файлы

Файл
13117-1.rtf
99577.rtf
13274.rtf
27917-1.rtf
178718.rtf




Чтобы не видеть здесь видео-рекламу достаточно стать зарегистрированным пользователем.
Чтобы не видеть никакую рекламу на сайте, нужно стать VIP-пользователем.
Это можно сделать совершенно бесплатно. Читайте подробности тут.