Билеты к экзамену (Билеты 2008)

Посмотреть архив целиком

Билеты к экзамену по курсу «Физика и технология некристаллических полупроводников»


2008 год, группы ЭЛ-15-04 и ЭР-05-04

Билет №1

  1. Определение некристаллических тел. (I сем. – стр. 2-3)

  2. Определение локализованных состояний по Мотту и Андерсону. (I сем. – стр. 35)

  3. Материал НКПП для лазерного принтера, излучающий в красной области спектра.

Билет №2

  1. Зависимость фотопроводимости НКПП от напряжённости электриечского поля. Объяснить. Видиконы, их устройство, принцип работы. (I сем. – стр. 68, II сем. – стр. 29-31)

  2. Методы получения a-Si:H. (II сем. – стр. 9-10, 16-18)

  3. Задача на нахождение угла связи из двух пиков. (I сем. – стр. 19)

Билет №3

  1. Метастабильные состояния

  2. Модели КФО, Губанова и Мотта-Девиса

  3. Задача на нахождение угла связи из двух пиков. (I сем. – стр. 19)

Билет №4

  1. PRAM. (II сем. – стр. 54-56)

  2. Ксерокспроцесс. (II сем. – стр. 20)

  3. Определение типа проводимости по разнице температурной зависимости электропроводности и ТЭДС. (I сем. – стр. 48)

Билет №5

  1. Необходимые условия и количественный критерий стеклообразования. (I сем. – стр. 9-11)

  2. Дефекты в НКПП. Модель Мотта-Девиса-Стрита. Пары с переменной валентностью. (I сем. – стр. 38-41)

  3. Получение электрофотографичеких носителей на a-Si:H. Какие при этом возникают проблемы. (II сем. – стр. 12, 25-26)

Билет №6

  1. Параметры ближнего порядка. Геометрическое и энергетическое определение ближнего порядка. (I сем. – стр. 2-3, 13-14)

  2. Особенности создания фотоэлектрических преобразователей на основе a-Si:H. (II сем. – стр. 33-40)

  3. Особенности структурной модификации тонких плёнок из a-Si:H. (I сем. – стр. 44-45, 50-51 ?)

Билет №7

  1. Средний порядок. (I сем. – стр. 14-16)

  2. Прямые и обращенные структуры фотоэлектрических преобразователей. Достоинства и недостатки. (II сем. – стр. 35-36)

Билет №9

  1. Исследование некристаллических структур методом колебательной спектроскопии. Косвенные методы исследования. (I сем. – стр. 20-22)

  2. Многоуровневая ячейка памяти на ХСП. (II сем. – стр. 54-56)

  3. Задача на нахождение угла связи из двух пиков. (I сем. – стр. 19)

Билет №11

  1. Молекулярная структура некристаллического селена. (I сем. – стр. 30)

  2. Носители оптической информации. (II сем. – Рис. 2-9)

  3. Задача на нахождение угла связи из двух пиков. (I сем. – стр. 19)

Билет №13

  1. Атомная структура и дефекты в аморфном кремнии. Влияние на них водорода. (I сем. – стр. 44-45)

  2. Зависимость коэффициента поглощения для некристаллических полупроводников. (I сем. – стр. 62-65)

  3. Задача. Найти пси (без учёта металлизации). (I сем. – стр. 10-11)

Билет №14

  1. Легирование а-Si:H. Методы, режимы. Зависимость энергии активации проводимости и электропроводности от концентрации примеси. (I сем. – стр. 50 -5 1)

  2. Фотоиндуцированные изменения химических свойств НКПП, изменение скорости растворения под действием травителей. (I сем. – стр. 72)

Билет №15

  1. Тонкопленочные транзисторы. Конструкции, преимущества, недостатки. (II сем. – стр. 41-42)

  2. Конфигурационная модель фотоиндуцированных изменений. (I сем. – стр. 72-73)

  3. Необходимые требования (или условия) для эффективного фотоэлектрического преобразования в ФЭП. (II сем. – стр. 35)

Билет №16

  1. Структурная модификация НКПП. Области применения, эффективность. I сем. – стр. 53-54)

  2. Фотопроводимость. Зависимость от температуры, длины волны, напряжённости электрического поля (?). I сем. – стр. 65-68)

  3. Требования к материалу, используемому в элементах записи потенциального рельефа. (II сем. – стр. 18-19)

Билет №19

  1. Классификация некристаллических веществ. (I сем. – стр. 3-4)

  2. Дефекты на атомах халькогенов и пептидов (5 и 6 групп). Пары с переменной валентностью. (I сем. – стр. 38-43)

  3. Морфология и средний порядок. Их аспекты и применение. (I сем. – стр. 55-59)

Билет №20

  1. Атомная структура стеклообразного мышьяка.

  2. Методы снижения кристаллизации видиконов.

  3. Про экситоны.

Билет №21

  1. Изменение параметров ближнего порядка. (I сем. – стр. 55)

  2. Образование ХСП из расплава. (I сем. – стр. 11-12)

  3. Механизм электронной проводимости в органических полупроводниках. (II сем. – стр. 56-59)

Билет №22

  1. Механизмы электропроводности в некристаллических полупроводниках. Зависимость от частоты. (I сем. – стр. 45-48)

  2. Микрокристаллический кремний. Цели и режимы получения. (II сем. – стр. 12-13)

  3. Механизм увеличения скорости диффузии металлов в ХСП при фотовоздействии. (I сем. – стр. 73, II сем. – стр. 31-32)

Билет №2?

  1. Методы получения твёрдых растворов на основе a-Si:H. (II сем. – стр. 15-16)

  2. Инверсия проводимости в объёмных ХСП. (I сем. – стр. 52-53)

  3. Метод компьютерного моделирования Монте-Карло. (I сем. – стр. 25)






Чтобы не видеть здесь видео-рекламу достаточно стать зарегистрированным пользователем.
Чтобы не видеть никакую рекламу на сайте, нужно стать VIP-пользователем.
Это можно сделать совершенно бесплатно. Читайте подробности тут.