(ЭЛ) Подборка материалов (эфф.Ирли)

Посмотреть архив целиком

Дифференциальное сопротивление коллекторного перехода rк определяется как

В активном режиме при Uк << 0 зависимость тока коллектора Iк от параметров биполярного транзистора выглядит следующим образом Iк = Iэ + Iк0. Из приведенного соотношения следует, что в явном виде ток коллектора Iк от напряжения на коллекторе Uк не зависит. Поэтому в первом приближении сопротивление коллекторного перехода rк при Uк << 0 стремиться к бесконечности.

Проанализируем возможность зависимости коэффициента передачи α от напряжения на коллекторе Uк. Эта зависимость может проявиться через следующие цепочки: изменение напряжения на коллекторе изменит ширину объединенной области p-n перехода, в свою очередь изменение ширины объединенной области p-n перехода вызовет изменение ширины базы, а изменение ширины базы изменит коэффициент передачи эмиттерного тока. С учетом изложенного получим следующие выражения для расчета дифференциального сопротивления коллекторного перехода:

   (5.23)

Изменение коэффициента передачи α биполярного транзистора вследствие модуляции ширины базы при изменении коллекторного напряжения Uк получило название "эффект Эрли" (рис. 5.11).

Рис. 5.11. Эффект Эрли - эффект модуляции ширины базы биполярного транзистора

Рассмотрим, как модуляция ширины базы влияет на коэффициент передачи α. Выражение для коэффициента передачи α имеет следующий вид

.

Для несимметричного p+-n перехода обедненная область локализована в слабо легированной части p-n перехода и ее ширина определяется .

При изменении напряжения на коллекторе Uк меняется ширина обедненной области lp-n, а следовательно, и ширина базы биполярного транзистора W. Этот эффект обуславливает конечное значение дифференциального сопротивления коллекторного перехода (рис. 5.12). Более подробно соотношение (5.23) перепишем в следующем виде

.   (5.24)

С учетом сказанного получаем следующее выражение для дифференциального сопротивления коллекторного перехода:

.   (5.25)

Рассчитаем для примера численное значение сопротивления коллекторного перехода rк при следующих параметров биполярного транзистора на основе кремния Si: ND = 1015 см-3; L = 0,1 мм; W = 30 мкм, Uк = 5В, Iэ = 1 мА, , εSi = 11,8.

Подставляя параметры в выражение (5.25), получаем значение rк ~= 5,2 МОм.

На рисунке 5.12 приведены выходные характеристики биполярного транзистора в схеме с общей базой, иллюстрирующие влияние эффекта Эрли.

Рис. 5.12. Коллекторные характеристики биполярного транзистора в схеме с общей базой, иллюстрирующие влияние эффекта Эрли




Случайные файлы

Файл
109052.rtf
66001.rtf
97736.doc
16441-1.rtf
35802.rtf




Чтобы не видеть здесь видео-рекламу достаточно стать зарегистрированным пользователем.
Чтобы не видеть никакую рекламу на сайте, нужно стать VIP-пользователем.
Это можно сделать совершенно бесплатно. Читайте подробности тут.