Точные билеты к экзамену (Билеты и программа)

Посмотреть архив целиком

Билеты к зимней сессии 2008-1009 для Эл-15-05.

БИЛЕТ 1

  1. Анализ основных уравнений п/п электроники. Уравнение электронейтральности. Уравнение плотностей тока.

  2. Анализ контакта Ме – п/п. Выпрямление на контакте Ме – п/п.

  3. Гетеропереход. Энергетическая диаграмма, перенос тока.

БИЛЕТ 2

  1. Анализ основных уравнений п/п электроники. Вывод уравнения непрерывности

  2. Диффузионная емкость p-n перехода.

  3. Влияние внешнего эл. поля на p-n переход

БИЛЕТ 3

  1. Анализ влияния внешнего эл. поля на толщину запорного слоя, высоту потенциального барьера, контакта Ме- п/п

  2. Виды пробоя структуры, содержаший p-n переход. Лавинный пробой

  3. Проводимость п/п. Влияние высокого уровня инжекции на параметры диода.

БИЛЕТ 4

  1. Виды пробоя Тепловой пробой

  2. Основные соотношения в п/п электронике (конц. зарядов, уровень Ферми)

  3. Гетеропереход. Сопоставление с монопереходом.

БИЛЕТ 5

  1. Анализ электронно-дырочного перехода. Равновесное состояние. Выпрямление.

  2. Уравнение Пуассона. Физический смысл. Применение.

  3. Лавинный пробой.

БИЛЕТ 6

  1. ВАХ структуры с р-n переходом. Диффузионная теория выпрямления.

  2. Анализ контакта двух вырожденных п.п. (ВАХ, энергетическая диаграмма)

  3. Стабилитрон. Принцип действия, основные параметры.

БИЛЕТ 7

  1. Анализ ёмкостей структуры содержащих p-n переход

  2. Анализ ВАХ p-n перехода (энергетические диаграммы, выпрямление на p-n переходе)

  3. Виды пробоя. Тепловой пробой

БИЛЕТ 8

  1. Анализ контакта двух п/п с различной шириной запрещенной зоны.

  2. Как влияет омическое сопротивление (???) полупроводника на ВАХ p-n структуры.

  3. ВАХ контакта двух вырожденных п/п. Образование отрицательного сопротивления.

БИЛЕТ 9

  1. Виды пробоя. Туннельный пробой.

  2. Проводимость п/п. Влияние проводимости базы на параметры структуры.

  3. Диодная теория выпрямления.

БИЛЕТ 10

  1. Влияние высокого уровня инжекции на параметры структуры.

  2. Уравнение Пуассона. Физический смысл.

  3. Гетеропереходы. Принципиальная особенность.

БИЛЕТ 11

  1. Диффузионная емкость диода.

  2. Контактные явления. Виды контактов.

  3. Влияние толщины п/п на прямую ветвь характеристики диода. (Диодная и диффузионная теория; Диоды с толстой базой и тонкой базой: различия; Сопротивление базы зависит от толщины диода)

БИЛЕТ 12

  1. Диффузионная теория выпрямления.

  2. Анализ контактного явления гетероперехода.

  3. Лавинный пробой.

БИЛЕТ 13

  1. Анализ электронно-дырочного перехода. Равновесное состояние. Расчет ОПЗ. Виды потенциала (???) эл. поля. (резкий/плавный?)

  2. Туннельный пробой.

  3. Основные уравнения п/п электроники.

БИЛЕТ 14

  1. Диодная теория выпрямления диода. (Этот вычеркнули, по-моему.)

  2. Виды пробоя. Тепловой пробой.

  3. Стабилитрон.

БИЛЕТ 15

  1. Анализ емкостей p-n структуры. (Зарядная, диффузионная, поверхностная)

  2. Различия обратной ветви ВАХ Ge и Si диодов.

  3. Основные уравнения п\п электроники.






Чтобы не видеть здесь видео-рекламу достаточно стать зарегистрированным пользователем.
Чтобы не видеть никакую рекламу на сайте, нужно стать VIP-пользователем.
Это можно сделать совершенно бесплатно. Читайте подробности тут.