Экзаменационные вопросы (ekz_vopr_1)

Посмотреть архив целиком

ВОПРОСЫ К ЭКЗАМЕНУ

Методы изоляции элементов монолитных ИС. Примеры технологических последовательностей изготовления монолитных ИС.

Процессы диффузионного легирования. Уравнение диффузии, краевые и начальные условия, методы решения. Точечный источник, источник неограниченной мощности. Принцип суперпозиции решений линейного уравнения диффузии, формула Пуассона. Методика расчета процессов диффузионного легирования. Многостадийная диффузия.

Диффузионное легирование кремния. Методы легирования, источники диффузанта. Диффузия в потоке газа - носителя. Метод параллельного источника. Выбор вида легирующей примеси и источника диффузанта. Реальные профили распределения примеси. Зависимость коэффициента диффузии от различных факторов.

Процессы термического окисления. Модель процесса. Закономерности окисления кремния. Локальное окисление.

Специфика диффузии примесей в диоксиде кремния. Диффузия примеси в гетерогенной системе. Маскирующие свойства оксида и нитрида кремния. Локальное диффузионное легирование. Перераспределение примесей в процессе окисления.

Особенности технологии МДП-структур. Влияние условий окисления и термообработок на плотность поверхностных состояний и скорость поверхностной рекомбинации в структурах кремний - оксид кремния. Механизмы нестабильности МДП структур и методы повышения их стабильности.

Процессы ионного легирования материалов. Аппаратура. Механизмы потерь энергии и профили распределения примеси. Образование и отжиг дефектов. Активность примесей. Применение ионного легирования. Сравнение возможностей диффузионного и ионного легирования.

Импульсные виды термообработок. Механические свойства материалов и их роль при импульсных видах обработок. Режимы обработок. Области применения импульсных видов обработок.

Оборудование и методы литографии. Фотолитография. Фоторезисты, их состав и свойства, процессы на разных этапах формирования рисунка. Процессы при экспонировании и проявлении.

Фотошаблоны, их конструкции и технология изготовления. Соответствие размеров рисунка на фотошаблоне и в слое фоторезиста. Применение многослойных резистов и вспомогательных слоев. Форма ступеньки. "Взрывная" литография. Общая характеристика методов удаления основного материала (подложки или пленки) Разрешающая способность процесса фотолитографии и факторы, ограничивающие ее.

Электронолитография. Пробеги электронов в твердом теле. Методы формирования рисунка. Разрешающая способность. Ионная литография. Рентгенолитография. Шаблоны для рентгеновской литографии. Сравнительная характеристика возможностей и областей применения фото -, электроно - и рентгенолитографии.

Технология формирования сплавных контактов металл-полупроводник. Технология систем металлизации монолитных ИС, многоуровневые системы металлизации. Механизмы деградации систем металлизации и способы повышения их надежности

Механическая обработка подложек. Требования к качеству обработки и ориентации пластин. Структура и свойства механически обработанной поверхности полупроводника.

Химическая обработка полупроводниковых материалов. Химические свойства и способы травления кремния, германия, оксида и нитрида кремния, слоев металлов. Ориентационно - чувствительные методы травления. Электрохимическая обработка кремния в растворах плавиковой кислоты, пористый кремний и его применения.

Способы очистки поверхности. Вода и способы ее очистки. Производственная гигиена, чистота материалов и помещений.

Контрольно-измерительные операции. Технологические испытания.


Случайные файлы

Файл
6577-1.rtf
16324-1.rtf
22969-1.rtf
113006.rtf
49883.rtf




Чтобы не видеть здесь видео-рекламу достаточно стать зарегистрированным пользователем.
Чтобы не видеть никакую рекламу на сайте, нужно стать VIP-пользователем.
Это можно сделать совершенно бесплатно. Читайте подробности тут.