Материалы по всему курсу схемотехники (необработанное) (1.3.1.1.2.4.2 Расчет напряжений питания +Еп, потребляемой мощности Ро, КПД, мощности на коллекторах оконечных транзисторов Рк)

Посмотреть архив целиком

Расчет напряжений питания +Еп, потребляемой мощности Ро, КПД, мощности на коллекторах оконечных транзисторов Рк.

При заданных значениях амплитуды напряжения на нагрузке Uнm и мощности на нагрузке Рн рассчитывают

Iнm = 2 Рн / Uнm (1)

Rн = Uнm/Inm (2)

Напряжения питания выходного каскада выбирают из условия

Е=Uнm + U =Uнm +(34)В. (3)

На рис.4 построены линии нагрузки выходных транзисторов VT4–5 (рис.2) или VT3-4 (рис.3)
















Расчет энергетических параметров:

Потребляемая мощность

. (4)

Среднее значение потребляемого тока


(5)

Выходная мощность (на нагрузке)

(6)

Мощность, рассеиваемая на коллекторах выходных (оконечных) транзисторов


. (7)

Коэффициент полезного действия

. (8)












Рис. 5 Типовые зависимости Po, Pн, Рк от Uнm.




Мощность, рассеиваемая на коллекторах выходных транзисторов, имеет максимум при Uнм = 2E / 0,64E

(9)




Случайные файлы

Файл
~1.DOC
bankangl.doc
121480.rtf
KURS_GR.DOC
153462.rtf




Чтобы не видеть здесь видео-рекламу достаточно стать зарегистрированным пользователем.
Чтобы не видеть никакую рекламу на сайте, нужно стать VIP-пользователем.
Это можно сделать совершенно бесплатно. Читайте подробности тут.