Материалы по всему курсу схемотехники (необработанное) (1.4.3.3.1 Токовое зеркало)

Посмотреть архив целиком

Токовое зеркало

Рис. 1 Схема простого токового зеркала на биполярных транзисторах

Запишем значение управляющего тока:

Найдем значение выходного тока в зависимости от тока управления. Т.к. в микроэлектронном исполнении транзисторы практически одинаковы и для схемы простого токового зеркала , следовательно . А управляющий ток определяется как . С учетом двух последних выражений можно записать:

, отсюда ;

Ф. 1

при =100 отношение , т.е. разбаланс составляет 2%.

при достаточном большом . Благодаря последнему свойству эта схема источника тока и получила свое название - «токовое зеркало».

Предыдущий анализ транзисторной пары токового зеркала был проведён в предположении полной идентичности обоих транзисторов. Рассмотрим, что происходит в реальной ситуации, когда это предположение не выполняется. Например, даже у 2-х ИС - транзисторов идентичной конструкции, которые расположены в непосредственной близости друг к другу на одном кристалле ИС, существуют небольшие различия в электрических характеристиках. Наиболее важное различие между двумя идентичными транзисторами состоят в ширине базы W.

Это различие в ширине базы проявляется в различных коэффициентах усиления по току и становится причиной появления напряжения смещения Uсм.

Для схемы ТЗ различия в усилении по току не играют большой роли вследствие малости базового тока в то время как влияние Uсм может оказаться существенным.

Разброс параметров транзисторов обусловлен различной шириной базы и выражается в различных значениях IК1, IК2 при фиксированном UБЭ. Напряжение смещения определяется для пары транзисторов как разница базоэмиттерных напряжений при одинаковых токах коллектора:

Ток коллектора связан с базо-эмиттерным напряжением основным соотношением для биполярного транзистора - уравнением Эберса-Молла:

;

Запишем выражения для токов коллектора VT1 и VT2 через уравнение Эберса-Молла:

Найдем отношение токов коллектора:

Типичное значение напряжения смещения 1-3 мВ. При напряжении смещения 1мВ разбаланс токов коллектора для пары транзисторов составляет:

Ф. 2

Выходная проводимость определяется как наклон выходной характеристики биполярного транзистора включенного по схеме с ОЭ:

Найдем относительное изменение выходного тока по формуле:

Ф. 3

Коэффициент влияния источника питания определяется следующим образом:

т.к. ,

Ф. 4

то производная от выходного тока по напряжению питания будет иметь вид:

,

а значение коэффициента влияния источника питания КВИП можно определить по формуле:

Таким образом при увеличении UПИТ прямо пропорционально увеличивается IВЫХ



Случайные файлы

Файл
14999-1.rtf
12638-1.rtf
94434.rtf
97064.rtf
35394.rtf




Чтобы не видеть здесь видео-рекламу достаточно стать зарегистрированным пользователем.
Чтобы не видеть никакую рекламу на сайте, нужно стать VIP-пользователем.
Это можно сделать совершенно бесплатно. Читайте подробности тут.