Третья лаба (моя лаба №3)

Посмотреть архив целиком

М Э И (ТУ)

Кафедра: Электронные приборы








Лабораторная работа №3


Исследование полевых транзисторов













Студент: Мирзоян А.Э.

Группа: ЭР-13-07

Преподаватель: Бондаренко С.М.








Москва

2009



Цель работы: исследование статических характеристик полевого транзистора с управляющим p-n переходом и МДП – транзистора; исследование влияния температуры на ход характеристик.

Объект исследования: кремниевый полевой транзистор КП303(А, Б, В, Г, Д, Е, Ж, И) и транзистор типа КП306Б.


Схема установки




Исследование характеристик транзистора Исследование характеристик МДП-транзистора.

С управляющим p-n переходом

























Предварительое задание.

1. Структура и принцип работы полевого транзистора с управляющим p-n переходом и МДП-транзистора.

Основной для изготовления транзистора служит пластина n-полупроводника; затвор образован областью с акцепторной примесью (p+), вводимой сверху в пластину, и слоем металлизации, наносимой на эту область. На каждой из торцевых сторон пластины имеются металлические слои, образующие омические контакты и выполняющие роль истока и стока.

Напряжения на электродах транзистора отсчитываются относительно общего электрода, в качестве которого выбирают исток. {Рис. 5.1[стр.67], Рис5.6[стр.72]}









В отличие от полевого транзистора, в МДП-транзисторе затвор изолирован от полупроводника слоем диэелектрика и имеет структуру металл-диэелектриполупро-водник. В основе работе МДП-транзистора лежит влияние электрического поля, создаваемого металлическим затвором, на величину и характер проводимости приповерхностного слоя полупроводника в направлении, параллельном поверхности.

2. Статические характеристики полевых транзисторов.

При рассмотрении статических характеристик ПТ их описывают зависимостями Ic,Iз=f(Uc,Uз), причем в виду малых значений Iз, Iз можно принебреч. {стр.68}

Семейства основных статических характеристик ПТ(для МДП) – выходные Ic=Ic(Uc)|Uз=const и управления Ic=Ic(Uз)|Uс=const {стр.74}

3. Влияние температуры на ход статических характеристик.

Для ПТ:

Влияние температуры на статические характеристики обусловлено в первую очередь температурной зависимостью сопротивления канала: в диапазоне рабочих температур с увеличением температуры подвижность электронов в канале падает, => растет его сопротивление и снижается Ic. Ограничения, накладываемые на выбор рабочего режима ПТ, аналогично биполярным транзисторам, определяется в основном по выходным характеристикам. {Рис. 5.4[стр.69]}







Для МДП:

Влияние температуры на статические характеристики выражено слабо и происходит так же, как для ППТ. {Рис.5.12[стр.75]}








4.Основные электрические величины и параметры транзистора:



Случайные файлы

Файл
ОНТП 51-1-85.doc
27159.rtf
101330.rtf
98974.rtf
89609.rtf




Чтобы не видеть здесь видео-рекламу достаточно стать зарегистрированным пользователем.
Чтобы не видеть никакую рекламу на сайте, нужно стать VIP-пользователем.
Это можно сделать совершенно бесплатно. Читайте подробности тут.